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  • 三象限晶閘管M40T120A匯沃HUIWO雙向可控硅40A1200VTG功率模塊

    三象限晶閘管M40T120A匯沃HUIWO雙向可控硅40A1200VTG功率模塊

    三象限(3Q)雙向可控硅具有和四象限(4Q)雙向可控硅不同的內部結構,它在門極沒有臨界的重疊結構。這使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的觸發(fā),同時避開了四象限(4Q)雙向可控硅的缺點
    三象限(3Q)雙向可控硅為初始產品制造廠帶來的好處
    1、高dVCOM/dt 值性能,不需緩沖電路
    2、高dVD/dt 值性能,不需緩沖電路
    3、高dICOM/dt 值性能,不必串聯電感
    如果您的電路采用光耦驅動,那么您可以選取我司的三象限可控硅;如果您的電路電源部分是采用阻容降壓,控制部分采用MCU控制,那么您也可以選取我司的三象限可控硅【詳細】

    2022-10-29

  • 三象限晶閘管JST41Z-1600BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A1600V TO-3P封裝

    三象限晶閘管JST41Z-1600BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A1600V TO-3P封裝

    三象限(3Q)雙向可控硅具有和四象限(4Q)雙向可控硅不同的內部結構,它在門極沒有臨界的重疊結構。這使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的觸發(fā),同時避開了四象限(4Q)雙向可控硅的缺點
    三象限(3Q)雙向可控硅為初始產品制造廠帶來的好處
    1、高dVCOM/dt 值性能,不需緩沖電路
    2、高dVD/dt 值性能,不需緩沖電路
    3、高dICOM/dt 值性能,不必串聯電感
    如果您的電路采用光耦驅動,那么您可以選取我司的三象限可控硅;如果您的電路電源部分是采用阻容降壓,控制部分采用MCU控制,那么您也可以選取我司的三象限可控硅【詳細】

    2022-10-29

  • 三象限晶閘管JST41Z-1200BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A1200VTG功率模塊

    三象限晶閘管JST41Z-1200BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A1200VTG功率模塊

    三象限(3Q)雙向可控硅具有和四象限(4Q)雙向可控硅不同的內部結構,它在門極沒有臨界的重疊結構。這使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的觸發(fā),同時避開了四象限(4Q)雙向可控硅的缺點
    三象限(3Q)雙向可控硅為初始產品制造廠帶來的好處
    1、高dVCOM/dt 值性能,不需緩沖電路
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    2022-10-29

  • 三象限晶閘管JST41Z-800BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A800V TO-3P

    三象限晶閘管JST41Z-800BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A800V TO-3P

    三象限(3Q)雙向可控硅具有和四象限(4Q)雙向可控硅不同的內部結構,它在門極沒有臨界的重疊結構。這使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的觸發(fā),同時避開了四象限(4Q)雙向可控硅的缺點
    三象限(3Q)雙向可控硅為初始產品制造廠帶來的好處
    1、高dVCOM/dt 值性能,不需緩沖電路
    2、高dVD/dt 值性能,不需緩沖電路
    3、高dICOM/dt 值性能,不必串聯電感
    如果您的電路采用光耦驅動,那么您可以選取我司的三象限可控硅;如果您的電路電源部分是采用阻容降壓,控制部分采用MCU控制,那么您也可以選取我司的三象限可控硅【詳細】

    2022-10-29

  • 三象限晶閘管JST41T-1200BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A1200VTG功率模塊

    三象限晶閘管JST41T-1200BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A1200VTG功率模塊

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    三象限(3Q)雙向可控硅為初始產品制造廠帶來的好處
    1、高dVCOM/dt 值性能,不需緩沖電路
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    如果您的電路采用光耦驅動,那么您可以選取我司的三象限可控硅;如果您的電路電源部分是采用阻容降壓,控制部分采用MCU控制,那么您也可以選取我司的三象限可控硅【詳細】

    2022-10-29

  • 三象限晶閘管JST41T-800BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A800VTG功率模塊

    三象限晶閘管JST41T-800BW匯沃HUIWO雙向可控硅40A800VTG功率模塊

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    2022-10-29

  • 三象限晶閘管BTB12-800BW雙向可控硅12A800V貼片TO-263封裝

    三象限晶閘管BTB12-800BW雙向可控硅12A800V貼片TO-263封裝

    三象限(3Q)雙向可控硅具有和四象限(4Q)雙向可控硅不同的內部結構,它在門極沒有臨界的重疊結構。這使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的觸發(fā),同時避開了四象限(4Q)雙向可控硅的缺點
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    1、高dVCOM/dt 值性能,不需緩沖電路
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    2022-10-29

  • 三象限晶閘管BTA225B-800BW雙向可控硅25A800V貼片TO-263封裝

    三象限晶閘管BTA225B-800BW雙向可控硅25A800V貼片TO-263封裝

    三象限(3Q)雙向可控硅具有和四象限(4Q)雙向可控硅不同的內部結構,它在門極沒有臨界的重疊結構。這使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的觸發(fā),同時避開了四象限(4Q)雙向可控硅的缺點
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    1、高dVCOM/dt 值性能,不需緩沖電路
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    2022-10-27

  • 高壓三象限晶閘管T2550-12T雙向可控硅25A1200V貼片TO-220B封裝

    高壓三象限晶閘管T2550-12T雙向可控硅25A1200V貼片TO-220B封裝

    三象限(3Q)雙向可控硅具有和四象限(4Q)雙向可控硅不同的內部結構,它在門極沒有臨界的重疊結構。這使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的觸發(fā),同時避開了四象限(4Q)雙向可控硅的缺點
    三象限(3Q)雙向可控硅為初始產品制造廠帶來的好處
    1、高dVCOM/dt 值性能,不需緩沖電路
    2、高dVD/dt 值性能,不需緩沖電路
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    如果您的電路采用光耦驅動,那么您可以選取我司的三象限可控硅;如果您的電路電源部分是采用阻容降壓,控制部分采用MCU控制,那么您也可以選取我司的三象限可控硅【詳細】

    2022-10-27

  • 三象限晶閘管T2550-12G雙向可控硅25A1200V貼片TO-263封裝

    三象限晶閘管T2550-12G雙向可控硅25A1200V貼片TO-263封裝

    三象限(3Q)雙向可控硅具有和四象限(4Q)雙向可控硅不同的內部結構,它在門極沒有臨界的重疊結構。這使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的觸發(fā),同時避開了四象限(4Q)雙向可控硅的缺點
    三象限(3Q)雙向可控硅為初始產品制造廠帶來的好處
    1、高dVCOM/dt 值性能,不需緩沖電路
    2、高dVD/dt 值性能,不需緩沖電路
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    2022-10-27

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